个人资料
- 院部/部门：电子信息学院
- 联系电话：
- 性别：男
- 电子邮箱：mingxiang_wang@suda.edu.cn
- 专业技术职务：
- 办公地址：电子楼203
- 毕业院校：南京大学
- 通讯地址：市州市十梓街1号苏州大学电子信息学院
- 学位：理学博士
- 邮编：215000
- 学历：博士研究生
- 传真：
教育经历
- 学士,1989年-1993年,半导体物理与器件,南京大学
- 硕士（提前攻博）,1993年-1995年,微电子与固体电子学,南京大学
- 理学博士,1995年-1998年,凝聚态物理,南京大学
工作经历
- 1998.7-2001.6,香港科技大学EEE,金属诱导低温多晶硅技术研究,博士后研究员
- 2001.7-2002.10,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,集成电路可靠性保障、先进深亚微米逻辑制程工艺整合,技术师（Member of Technical Staff）、主任工程师
- 2002.11-现在,苏州大学电子信息学院,教授
个人简历
王明湘，男，1972年3月生，教授，博士生导师，苏州大学电子信息学院平板显示器件研究所主任，IEEE高级会员。1993年本科毕业于南京大学匡亚明学院，1998年博士毕业于南京大学物理系，1998年至2001年在香港科技大学从事博士后研究，之后加入中芯国际集成电路（上海）有限公司，担任技术师（Member of Technical Staff）和主任工程师，加入了逻辑制程研发小组，成功量产了中国大陆第一款深亚微米芯片0.18μm FCRAM。2002年11月，以教授身份引进苏州大学。
研究领域为薄膜半导体材料、器件和电路，重点是应用于非硅基板有源驱动电路的薄膜晶体管（TFT）器件的物理模型和可靠性研究，包括低温多晶硅TFT、氧化物半导体TFT和有机TFT及相关电路，面向Micro-LED，AMOLED和柔性显示等各类新型显示应用领域。
先后承担国家及省市级项目10余项，包括4项国家自然科学基金面上项目，在国际学术期刊和国际学术会议上发表论文百余篇，包括国际权威期刊IEEE EDL、IEEE TED、APL等50余篇，论文引用超过500次，已授权发明专利6项（美国专利1项）。2014年翻译出版半导体学界泰斗施敏先生的名著《半导体器件物理与工艺（第三版）》。
近年来，在多个IEEE国际会议如IPFA2016，ICICDT2019担任共同主席或技术主席，担任多个国际会议的技术委员，在国际会议上做特邀报告或短课程10余次，在IPFA、ICSICT、CAD-TFT等IEEE主办的国际会议上获得最佳或优秀论文奖6篇。指导学生获苏州大学优秀硕士学位论文9篇、江苏省优秀硕士学位论文3篇，研究生国家奖学金10余人次。
研究领域
薄膜半导体材料、器件和电路
面向新型平板显示、可穿戴和传感器件的新材料、结构和工艺的薄膜晶体管器件（TFT）、
TFT器件（低温多晶硅TFT、氧化物半导体TFT、有机TFT）的物理模型和可靠性研究、
Micro-LED，AMOLED等新型显示中有源驱动电路可靠性研究、
面向可卷曲、可拉伸的新型柔性显示的TFT器件机械可靠性研究、
第三代半导体器件如GaN HEMT、SiC MOSFET的器件模型和可靠性研究
开授课程
- 1、微电子封装技术,2012.01.07-,21,54
- 2、半导体器件物理,,电子信息学院,,2014.06.24-,22,63
- 3、半导体器件物理,,电子信息学院,,2014.06.24-,51,63
- 4、半导体器件物理,,2010级电子科学与技术,2009级电子信息学院,,30,63
- 5、半导体器件物理,,2010级微电子学,2009级电子信息学院,,54,63
- 6、半导体物理及固体物理基础,,2009级电子科学与技术,2008级电子科学与技术,,30,72
- 7、半导体物理及固体物理基础,,2009级微电子学,2008级微电子学,,53,63
- 8、电子信息技术导论,,2017级微电子科学与工程,电子信息学院,,43,18
- 9、半导体器件物理,,2012级微电子学,电子信息学院,,2015.07.03-,54,63
- 10、半导体器件物理,,2012级电子科学与技术,电子信息学院,,2015.07.03-,28,63
- 11、大规模集成电路制造工艺,,2013级电子科学与技术,电子信息学院,,2016.07.08-,31,63
- 12、大规模集成电路制造工艺,,2013级电子科学与技术,电子信息学院,,2016.07.08-,21,63
- 13、大规模集成电路制造工艺,,2013级微电子科学与工程,电子信息学院,,2016.07.08-,12,63
- 14、大规模集成电路制造工艺,,2013级微电子科学与工程,电子信息学院,,2016.07.08-,36,63
- 15、电子信息技术导论,,2016级微电子科学与工程,电子信息学院,,33,18
- 16、VLSI Technology,,2014级电子科学与技术,电子信息学院,,19,63
- 17、VLSI Technology,,2014级电子科学与技术,电子信息学院,,30,63
- 18、VLSI Technology,,2014级微电子科学与工程,电子信息学院,,13,63
- 19、VLSI Technology,,2014级微电子科学与工程,电子信息学院,,37,63
- 20、VLSI Technology,,2015级微电子科学与工程,电子信息学院,,2018.07.06-,44,63
- 21、VLSI Technology,,2015级电子科学与技术,电子信息学院,,2018.07.06-,45,63
- 22、VLSI Technology,,2016级微电子科学与工程,电子信息学院,,33,63
- 23、VLSI Technology,,2017级微电子科学与工程,电子信息学院,,2020.07.01-,39,63
- 24、大规模集成电路制造工艺,,电18电科1,电18电科2,电子信息学院,,39,63
- 25、大规模集成电路制造工艺,,电18电科1,电18电科2,电子信息学院,,40,63
- 26、科技、社会和人,,2016级,,16,18
- 27、科技、社会和人,,2018级,,15,36
- 28、科技、社会和人,,2016级,,30,18
- 29、科技、社会和人,,2017级,,16,18
- 30、科技、社会和人,,2020级,,20,36
- 31、科技、社会和人,,2019级,,15,36
- 32、科技、社会和人,,2015级,,20,18
- 33、科技、社会和人,,2014级,,30,18
- 34、科技、社会和人,,2015级,,20,18
- 35、科技、社会和人,,2014级,,30,18
科研项目
- 1、柔性AMOLED显示中薄膜晶体管的机械应力可靠性研究,2020.01.01-2023.12.31,王明湘,国家自然科学基金（61974101）,63万元
- 2、面向AMOLED显示的含退化抑制结构的新型薄膜晶体管设计与研究,2016.01.01-2019.12.31,王明湘,国家自然科学基金（61574096）,64万元
- 3、金属诱导低温多晶硅TFT的载流子输运和器件物理模型,2011.01.01-2013.12.31,王明湘,国家自然科学基金（61076085）,30万元
- 4、金属诱导低温多晶硅薄膜晶体管器件退化模型和机制研究,2005.01.01-2007.12.31,王明湘,国家自然科学基金（60406001）,24万元
论文
科技成果
- 1、片状柔性材料弯曲设备及方法,ZL201810025979.6,王明湘;江微;张冬利;王槐生;吴鸣;吕楠楠,已授权
- 2、薄膜晶体管输出特性模型修正方法,ZL201710485895.6,王明湘;韩志远,已授权
- 3、一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管,ZL201410058523.1,王明湘; 张冬利; 陈杰 ,已授权
- 4、一种具有载流子注入结构的薄膜晶体管,ZL201410030048.7,王明湘;王槐生;张冬利,已授权
- 5、构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法,ZL03131685.9,陈坤基;黄信凡;闵乃本;骆桂蓬;王明湘;徐骏;李伟,已授权
- 6、POLYSILICON MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICES FORMED THEREFROM,US6953716 B2,Man Wong, Hoi Sing Kwok, Zhiguo Meng, Mingxiang Wang,已授权
