个人信息
个人简介

孙斌，2022年博士毕业于德国亚琛工业大学（RWTH Aachen），获最高等级拉丁文学位荣誉summa cum laude，以及博士最高荣誉Borchers Plakette奖章。师从国际知名TFET器件专家Joachim Knoch教授，研究方向为后摩尔新型硅基场效应晶体管，集成电路制造，计算机工艺及器件模拟。近年来在IEEE TED, JVST-B, IEEE JMEMS, pss-a等微电子领域权威期刊发表多篇学术论文，并受邀担任IEEE JMEMS, Scientific Reports等期刊审稿人。主持国自然-青年科学基金项目（C类）1项。


代表作:

  • B. Sun, B. Richstein, P. Liebisch, T. Frahm, S. Scholz, J. Trommer, T. Mikolajick, J. Knoch*, “On the Operation Modes of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors,” in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 7, pp. 3684-3689, July 2021, doi: 10.1109/TED.2021.3081527.

  • B. Sun, T. Grap, T. Frahm, S. Scholz, J. Knoch*, “Role of electron and ion irradiation in a reliable lift-off process with electron beam evaporation and a bilayer PMMA resist system,” in Journal of Vacuum Science&Technology B, vol. 39, no. 5, pp. 052601, Sep. 2021, doi: 10.1116/6.0001161.

  • B. Sun†, S. Scholz†, A. Kemper, T. Grap, J. Knoch*, “Modeling and Prediction of Hydrogen Morphological Evolution in Silicon Utilizing a Level-Set Approach,” in IEEE Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 30, no. 6, pp. 950-957, Dec. 2021, doi: 10.1109/JMEMS.2021.3115715. (†共同一作)

研究领域

主要研究领域：后摩尔新型硅基场效应晶体管，集成电路制造，计算机工艺及器件模拟。


1）可重构场效应晶体管；



2）改进电子束蒸发，提高剥离成形良率及器件质量；



3）湿法刻蚀制备三角形截面（具有原子级平整度）的硅纳米线；



4）水平集方法模拟高温氢气环境下硅结构的形貌变化；



5）非平衡格林函数研究晶体管中载流子的输运性质。




基本信息
头像




孙斌

职称：讲师

院部/部门：电子信息学院

学历：自然科学博士

学位：

毕业学校：德国亚琛工业大学

毕业专业：

联系方式

通讯地址：姑苏区干将东路333号苏州大学（天赐庄校区）

邮政编码：215006

电子邮箱：sunbin@suda.edu.cn

联系电话：

传真号码：

办公地点：天赐庄校区电子信息楼257

科学研究

科研项目：

1、国家自然科学基金-青年项目, 2024.01-2026.12, 项目编号：62304147, 主持。

2、《半导体器件物理》课程教学模式创新研究与实践, 2023.07-2024.06, 项目来源：苏州大学未来科学与工程学院教育教学改革研究课题, 重点项目, 主持。

3、亚琛工业大学精英大学项目Matter and Light for Quantum Computing (ML4Q), 2020.07-2022.03, 项目来源：德国科学基金会(DFG), 项目编号：EXC 2004/1–390534769, 参与。

4、德国联邦教育与研究部(BMBF)项目, 2020.07-2022.03, 项目编号：16ES1075, 参与。

5、德国联邦教育与研究部(BMBF)项目, 2015.03-2016.02, 项目编号：16ES0060K, 参与。


科研团队
论文
  • 1、"Supervised learning for roughness reconstruction under different scanning modes using confocal laser scanning microscope", Applied Optics, 2026, Y. Zhu, Y. Zhu, B. Sun*, Y. Zou*, vol. 65, no. 5, doi: 10.1364/AO.585887.
  • 2、"PN结仿真软件",软著,2026
  • 3、"基于Python语言的MOSFET器件仿真实验平台开发", 实验科学与技术, 2026, 孙斌，秦祯雷，毛力言，胡文元，王胜，王明湘*
  • 4、"Charge-Mediated Effects in Dual-Gate Reconfigurable Field-Effect Transistors", 2025 18th IEEE United Conference on Millimeter Waves and Terahertz Technologies (UCMMT), 2025, Z. Qin, B. Sun*, Nanjing, China, 2025, pp. 1-3, doi: 10.1109/UCMMT67044.2025.11287787.
  • 5、"Direct Growth and Integration of Silicon Nanowire Transistors on Polymer Substrates", ACS Appl. Mater. Interfaces, 2025, X. Song†, J. Fan†, B. Sun, Y. Gu, S. Wang*, J. An, D. Liu, J. Wang, and L. Yu*, 17, 48503−48510, doi: 10.1021/acsami.5c11278.
  • 6、"Scalable Integration of High Sensitivity Strain Sensors Based on Silicon Nanowire Spring Array Directly Grown on Flexible Polyimide Films", Nano Letters, 2025, X. Song, Y. Gu, S. Wang*, J. Fan, J. An, L. Yan, B. Sun, J. Wang, L. Yu*,25, 2290, doi: 10.1021/acs.nanolett.4c05553.
  • 7、"Lateral Electrochemical Metallization Cells for Reconfigurable Interconnect Systems", IEEE Journal of the Electron Devices Society, July 2023, T. Frahm*, M. Buttberg, G. Gvozdev, R. A. Müller, S. Chen, B. Sun, L. Raffauf, S. Menzel, I. Valov, D. Wouters, R. Waser, J. Knoch, vol. 11, pp. 432-437, doi: 10.1109/JEDS.2023.3297855.
  • 8、"Sub-Linear Current Voltage Characteristics of Schottky-Barrier Field-Effect Transistors", IEEE Transactions on Electron Devices, May 2022, Joachim Knoch*, Bin Sun, vol. 69, no. 5, pp. 2243-2247, doi: 10.1109/TED.2022.3161245.
  • 9、"Modeling and Prediction of Hydrogen-Assisted Morphological Evolution in Silicon Utilizing a Level-Set Approach", IEEE Journal of Microelectromechanical Systems, Dec. 2021, B. Sun†, S. Scholz†, A. Kemper, T. Grap, J. Knoch*, vol. 60, no. 6, pp. 950-957, doi: 10.1109/JMEMS.2021.3115715. (†共同一作)
  • 10、"Role of electron and ion irradiation in a reliable lift-off process with electron beam evaporation and a bilayer PMMA resist system", Journal of Vacuum Science & Technology B, Sep. 2021, B. Sun, T. Grap, T. Frahm, J. Knoch*, vol. 39, no. 5, pp. 052601, doi: 10.1116/6.0001161.
  • 11、"On the Operation Modes of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors", IEEE Transactions on Electron Devices, July 2021, B. Sun, B. Richstein, P. Liebisch, T. Frahm, S. Scholz, J. Trommer, T. Mikolajick, J. Knoch*, vol. 68, no. 7, pp. 3684-3689, doi: 10.1109/TED.2021.3081527.
  • 12、"Spin qubits confined to a silicon nano-ridge", Applied Sciences, Sep. 2019, J. Klos†, B. Sun†, J. Beyer, S. Kinder, L. Hellmich, J. Knoch, L. Schreiber*, vol. 9, no. 18, pp. 3823, doi: 10.3390/app9183823. (†共同一作)
  • 13、"Employing CMOS technology on silicon for a scalable electron-spin qubit architecture", Bulletin of the American Physical Society, Mar. 2021, Jan Klos, Bin Sun, Jacob Beyer, Sebastian Kindel, Lena Hellmich, Joachim Knoch, Lars Schreiber, vol. 2021, pp. A30. 004.
  • 14、"Alternatives for Doping in Nanoscale Field-Effect Transistors", physica status solidi (a), Jan. 2018, F. Riederer, T. Grap, S. Fischer, M. Müller, D. Yamaoka, B. Sun, C. Gupta, K. Klaus, J. Knoch*, vol. 215, no. 7, pp. 1700969, doi: 10.1002/pssa.201700969.
荣誉奖励
  • 1、Borchers-Plakette奖章, 颁奖单位：德国亚琛工业大学
  • 2、美国科学研究荣誉学会(Sigma Xi)正式会员,2024
  • 3、德意志奖学金(Deutschlandstipendium), 资助方：德国联邦教育与研究部(BMBF) 50%，德国工程师协会(VDI) 50%
  • 4、北莱茵-威斯特法伦州奖学金(NRW-Stipendienprogramm), 资助方：德国北莱茵-威斯特法伦州科学与技术部 50%，德国工程师协会(VDI) 50%
  • 5、杰出毕业生(herausragender Abschluss), 颁奖单位：德国杜伊斯堡-埃森大学工学院
  • 6、校级优秀学生奖学金, 资助方：中国矿业大学
开授课程
  • 1、 《半导体物理及固体物理基础》
  • 2、 《半导体器件物理》
  • 3、 《工艺模拟与器件模拟》
  • 4、 《LaTeX科技排版》
招生信息

具备学术型、专业型硕士研究生指导资格，热忱欢迎对后摩尔新型硅基场效应晶体管、集成电路制造、计算机工艺及器件模拟方向感兴趣的同学加入！

E-mail: sunbin@suda.edu.cn