孙斌

主要研究领域：后摩尔新型硅基场效应晶体管，集成电路制造，计算机工艺及器件模拟。

1）可重构场效应晶体管；

2）改进电子束蒸发，提高剥离成形良率及器件质量；

3）湿法刻蚀制备三角形截面（具有原子级平整度）的硅纳米线；

4）水平集方法模拟高温氢气环境下硅结构的形貌变化；

5）非平衡格林函数研究晶体管中载流子的输运性质。