孙斌,苏州大学优秀青年学者,讲师。2022年以德国博士论文最优等级(summa cum laude)毕业于亚琛工业大学(RWTH Aachen University),获自然科学博士学位(Dr. rer. nat.)。师从国际知名TFET器件专家Joachim Knoch教授,研究方向为后摩尔新型硅基场效应晶体管,集成电路制造,计算机工艺及器件模拟。近年来在IEEE TED, JVST-B, IEEE JMEMS, pss-a等微电子领域权威期刊发表学术论文7篇,其中一作文章4篇,并受邀担任IEEE JMEMS, Scientific Reports等期刊审稿人。获Borchers-Plakette奖章(德国优秀博士论文奖),主持国家自然科学基金-青年基金项目1项。
代表作:
B. Sun, B. Richstein, P. Liebisch, T. Frahm, S. Scholz, J. Trommer, T. Mikolajick, J. Knoch*, “On the Operation Modes of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors,” in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 7, pp. 3684-3689, July 2021, doi: 10.1109/TED.2021.3081527.
B. Sun, T. Grap, T. Frahm, S. Scholz, J. Knoch*, “Role of electron and ion irradiation in a reliable lift-off process with electron beam evaporation and a bilayer PMMA resist system,” in Journal of Vacuum Science&Technology B, vol. 39, no. 5, pp. 052601, Sep. 2021, doi: 10.1116/6.0001161.
B. Sun†, S. Scholz†, A. Kemper, T. Grap, J. Knoch*, “Modeling and Prediction of Hydrogen Morphological Evolution in Silicon Utilizing a Level-Set Approach,” in IEEE Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 30, no. 6, pp. 950-957, Dec. 2021, doi: 10.1109/JMEMS.2021.3115715. (†共同一作)
新闻报道:
注:Journal of Vacuum Science & Technology总主编Dr. Eray Aydil教授在twitter上推荐了关于改进电子束蒸发方面的工作。
1. IEEE Electron Devices Society, 会员
2. Sigma Xi, 会员
3. American Vacuum Society, 会员
主要研究领域:后摩尔新型硅基场效应晶体管,集成电路制造,计算机工艺及器件模拟。
1)可重构场效应晶体管;
2)改进电子束蒸发,提高剥离成形良率及器件质量;
3)湿法刻蚀制备三角形截面(具有原子级平整度)的硅纳米线;
4)水平集方法模拟高温氢气环境下硅结构的形貌变化;
5)非平衡格林函数研究晶体管中载流子的输运性质。
荣誉:
1. 苏州大学优秀青年学者
2 国家建设高水平大学公派研究生奖学金
资助方:国家留学基金管理委员会
3. 杰出本科毕业生(herausragender Abschluss)
颁奖单位:德国杜伊斯堡-埃森大学工学院
4. 两次获得德意志奖学金(Deutschlandstipendium)
资助方:德国联邦教育和研究部(BMBF) 50%, 德国工程师协会(VDI)鲁尔区分会 50%
5. 德国北莱茵威斯特法伦州奖学金
资助方:德国北莱茵-威斯特法伦州科学与研究部 50%, 德国工程师协会(VDI)鲁尔区分会 50%
6. 校级优秀学生奖学金
资助方:中国矿业大学
孙斌,苏州大学优秀青年学者,讲师。2022年以德国博士论文最优等级(summa cum laude)毕业于亚琛工业大学(RWTH Aachen University),获自然科学博士学位(Dr. rer. nat.)。师从国际知名TFET器件专家Joachim Knoch教授,研究方向为后摩尔新型硅基场效应晶体管,集成电路制造,计算机工艺及器件模拟。近年来在IEEE TED, JVST-B, IEEE JMEMS, pss-a等微电子领域权威期刊发表学术论文7篇,其中一作文章4篇,并受邀担任IEEE JMEMS, Scientific Reports等期刊审稿人。获Borchers-Plakette奖章(德国优秀博士论文奖),主持国家自然科学基金-青年基金项目1项。
代表作:
B. Sun, B. Richstein, P. Liebisch, T. Frahm, S. Scholz, J. Trommer, T. Mikolajick, J. Knoch*, “On the Operation Modes of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors,” in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 7, pp. 3684-3689, July 2021, doi: 10.1109/TED.2021.3081527.
B. Sun, T. Grap, T. Frahm, S. Scholz, J. Knoch*, “Role of electron and ion irradiation in a reliable lift-off process with electron beam evaporation and a bilayer PMMA resist system,” in Journal of Vacuum Science&Technology B, vol. 39, no. 5, pp. 052601, Sep. 2021, doi: 10.1116/6.0001161.
B. Sun†, S. Scholz†, A. Kemper, T. Grap, J. Knoch*, “Modeling and Prediction of Hydrogen Morphological Evolution in Silicon Utilizing a Level-Set Approach,” in IEEE Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 30, no. 6, pp. 950-957, Dec. 2021, doi: 10.1109/JMEMS.2021.3115715. (†共同一作)
新闻报道:
注:Journal of Vacuum Science & Technology总主编Dr. Eray Aydil教授在twitter上推荐了关于改进电子束蒸发方面的工作。
1. IEEE Electron Devices Society, 会员
2. Sigma Xi, 会员
3. American Vacuum Society, 会员
主要研究领域:后摩尔新型硅基场效应晶体管,集成电路制造,计算机工艺及器件模拟。
1)可重构场效应晶体管;
2)改进电子束蒸发,提高剥离成形良率及器件质量;
3)湿法刻蚀制备三角形截面(具有原子级平整度)的硅纳米线;
4)水平集方法模拟高温氢气环境下硅结构的形貌变化;
5)非平衡格林函数研究晶体管中载流子的输运性质。
荣誉:
1. 苏州大学优秀青年学者
2 国家建设高水平大学公派研究生奖学金
资助方:国家留学基金管理委员会
3. 杰出本科毕业生(herausragender Abschluss)
颁奖单位:德国杜伊斯堡-埃森大学工学院
4. 两次获得德意志奖学金(Deutschlandstipendium)
资助方:德国联邦教育和研究部(BMBF) 50%, 德国工程师协会(VDI)鲁尔区分会 50%
5. 德国北莱茵威斯特法伦州奖学金
资助方:德国北莱茵-威斯特法伦州科学与研究部 50%, 德国工程师协会(VDI)鲁尔区分会 50%
6. 校级优秀学生奖学金
资助方:中国矿业大学