彭长四，男，教授，博导。苏州大学光电学院特聘教授，公共平台主任。湖南涟源人。
1990年获武汉大学理学学士学位；1998年获中科院物理所理学博士学位；2009年获得（芬兰）坦佩雷理工大学（TUT）光电子研究中心（ORC）（在职）工学博士学位。
详情请见网页：http://changsipeng.com
2009年-至今：组建量子点和纳米仿生研究室
国际原创并首次实现无缺陷外延量子点定位生长（基于此成果，英国谢菲尔德大学Hopkinson教授获得英国EPSRC“先驱研究与技能”和欧盟地平线2020“未来的新兴技术（FET）”约3600万人民币的项目支持）；
极大地提高了透明超疏水玻璃的耐用性；
创造性地研发了油水分离技术；
主持苏州大学光电学院公共平台工作。
项目：主持——1项欧盟项目、1项科技部国家重点研发计划国际合作项目、1项国家自然科学基金面上项目、1项江苏省自然科学基金重大项目；重要合作方——2项科技部中芬合作项目。
2001-2009年：TUT教工，ORC高级研究员
从事III-V族半导体材料分子束外延、III-V族半导体光电子器件、纳米制备研究。
设计了一种新的减少内应力的稀氮材料异质结构，基于此结构的半导体激光器阈值电流密度减少了80%（2002年的世界纪录）；
发明了一种新的稀氮材料，与常规稀氮材料比，其光荧光强度增加50倍，半导体激光器阈值电流密度减少了50。
项目：主持——2项芬兰科学院项目、1项欧盟FP7项目的芬兰课题负责人。
1993-2001年：中科院物理所研究生、助理研究员、副研究员（破格）
致力于Si基SiGe材料的分子束外延生长。发现一种新的掺杂技术，可观察到SiGe量子点的室温光荧光；
研发了一种新的低温Si生长技术，大大抑制了Si基应力完全释放后的SiGe材料的位错密度，这个对Si基器件意义重大。
获2018年度科学中国人年度人物奖；
江苏省，六大人才高峰；
中国科学院，院长奖学金优秀奖；
第一届全国中学生数学竞赛，二等奖；
第一届全国中学生物理竞赛，三等奖。
截至2019年7月，出版了1部Springer专著和其他4部专著中各1章，申请29项专利（其中已授权15项），发表同行评审论文170篇，他引1800多次。
主要学术兼职：
（英国）贝德福特大学客座教授（2011.03-2018.05，2019.06-至今）；
（英国）谢菲尔德大学客座教授（2018.03-至今）；
西交利物浦大学教工考评委员会校外专家（2017.04）；
苏州大学敬文书院，学业导师（2014.09-今）。
特邀评审员
教员业绩考核委员会校外专家，西交利物浦大学（2017.04）；
全国博士论文评审委员会；
中国博士后基金；
国家自然科学基金；
中国光学学会；
《Nature Photonics》（Nature子刊）；
《New Journal of Physics》（英国物理学会）；
《Nanotechnology》（英国物理学会）；
《Semiconductor Science and Technology》（英国物理学会）；
《Journal of Optics A: Pure and Applied Optics》（英国物理学会）；
《Journal of Applied Physics》（美国物理学会）；
《Photonics Technology Letters》（美国IEEE）。